超低阻抗表征利用鎖相技術(shù)測量阻抗的原理
點(diǎn)擊次數(shù)：1465 更新時(shí)間：2021-06-15
超低阻抗表征的特征是：利用CR傳輸線模型中某個(gè)或者某些分支中電阻和電容的比值與電池?cái)U(kuò)散特征的關(guān)系表征電池，揭示電池?cái)U(kuò)散特征隨荷電量SOC、溫度、電化成階段、電極中摻雜量和流動模式控制條件變化的關(guān)系。具有基本原理清楚、操作過程簡單、數(shù)據(jù)處理便捷、結(jié)果客觀可靠和無破壞性的優(yōu)點(diǎn)，因而在科學(xué)研究和電池應(yīng)用中具有重要價(jià)值。
超低阻抗表征利用鎖相技術(shù)測量阻抗：
基于證明的鎖定技術(shù)的MFLI。采用鎖相技術(shù)的關(guān)鍵強(qiáng)度測量阻抗，同時(shí)測量DUT的相敏電壓和電流。阻抗值由測量電壓除以測量電流而同時(shí)考慮相位給出。采用兩個(gè)基本測量電路中的一個(gè)來完成這個(gè)任務(wù)：一個(gè)有利于高阻抗的兩端設(shè)置和一個(gè)適合大多數(shù)情況并且有利于低阻抗的四端電路。由于超級電容器將導(dǎo)致ESR占優(yōu)勢區(qū)域的低阻抗值，所以四端測量方法是合適的選擇。
示意性設(shè)置；DUT由右側(cè)的正弦信號電壓驅(qū)動，測量DUT兩端的電壓降，同時(shí)左側(cè)監(jiān)測電流。另外兩個(gè)引線連接到DUT的兩側(cè)以測量跨過的電壓降。所有的電流都流過LCUR和HCUR連接器，而LPOT和HPOT是無電流的，并且用作電位的無創(chuàng)探針。這種四端裝置有利于測量小阻抗，因?yàn)樗鼘﹄娎|、連接器、焊接點(diǎn)等中的串聯(lián)阻抗的影響不敏感。
